什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的分野

一般小量的用NOR Flash，因为其念书取很低速短整整，多用来文件系统可用系统才会等极其重要的资讯，而SRAM的用NAND FLASH，最常用的NAND FLASH应用是系统设计系统才会引入的DOC(Disk On Chip)和我们不一定用的"闪盘"，可以离线复制。迄今为止市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而装配NAND Flash的主要的产品有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的常为比较

NOR和NAND是现在很低价上两种主要的非易失SSD新科技。Intel于1988年首日后开发出NOR flash新科技，彻底改变了原日后由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash内部结构，强调降很低每比特的效益，格外好的常为比较稳定性，并且熊文件系统一样可以通过联接器轻松升级。但是经过了十多年之前，仍然有比较多的硬件机械师分不清NOR和NANDSSD。

常为"flas件系统"不时可以与常为"NOR文件系统"也就是说适用。许多业内人士也搞不清楚NANDSSD新科技常为常为比较于NOR新科技的优越之处，因为大多数意味着SSD只是用来文件系统少量的编码，这时NORSSD格外适合一些。而NAND则是很低数据数据资料文件系统密度的理想解决办法。

NOR是现在很低价上主要的非易失SSD新科技。NOR一般只用来文件系统少量的编码;NOR主要应用在编码文件系统等离子体中都。NOR的特点是应用极为简单、无需专门的联接器很低压电路器、传输效率很低，它是属于芯片内按计划(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以如此一来在(NOR型)flashSSD内运营，并不需要日后把编码念书到系统才会RAM中都。在1～4MB的小量时具较很低的效益效益，但是很很低的加载和复制很低速大大影响了它的常为比较稳定性。NOR flash含有SRAM联接器，有足够的邮箱引脚来文件系统，可以很容易地传输其内部的每一个bit。NOR flash占据了量为1～16MBSSD很低价的大多。

NAND内部结构能给予极很低的区块密度，可以超出很低文件系统密度，并且加载和复制的很低速也很短整整。应用NAND的困难在于flash的经营管理和需多种不尽常为同的系统才会联接器。

1、常为比较稳定性常为比较:

flashSSD是非易失文件系统，可以对专仅指块的文件系统区块块顺利进行擦写到和日后编程。任何flash器件的加载可用根本无法在空或已复制的区块内顺利进行，所以大多数意味着，在顺利进行加载可用早日后必需日后按计划复制。NAND器件按计划复制可用是十分极为简单的，而NOR则立即在顺利进行复制前日后要将目标块内所有的位都写到为1。

由于复制NOR器件时是以64～128KB的块顺利进行的，按计划一个加载/复制可用的整整为5s，与此常为反，复制NAND器件是以8～32KB的块顺利进行的，按计划常为同的可用最多只需4ms。

按计划复制时块材质的不尽常为同全面性拉大了NOR和NADN彼此间的常为比较稳定性差异性，总和表明，对于取值的一套加载可用(尤其是格外新小文件时)，格外多的复制可用必需在基于NOR的区块中都顺利进行。这样，当选择文件系统解决办法时，设计者必需权衡以下的各项状况：

● NOR的念书很低速比NAND稍短整整一些。

● NAND的加载很低速比NOR短整整很多。

● NAND的4ms复制很低速远比NOR的5s短整整。

● 大多数加载可用需日后顺利进行复制可用。

● NAND的复制区块格外小，也就是说的复制很低压电路器格外少。

(注：NOR FLASH SECTOR复制整整视品牌、大小不尽常为同而不尽常为同，比如，4M FLASH，有的SECTOR复制整整为60ms，而有的需第二大6s。)

2、联接器差别:

NOR flash含有SRAM联接器，有足够的邮箱引脚来文件系统，可以很容易地传输其内部的每一个bit。

NAND器件适用常为比较简单的I/O口来串行地传输数据数据资料，各个产品或供应商的方法有可能大不常为同。8个引脚用来传送控制、邮箱和数据数据资料的资讯。

NAND念书和写到可用引入512bit的块，这一点有点像文件系统设备经营管理此类可用，很自然地，基于NAND的文件系统就可以取代文件系统设备或其他块设备。

3、量和效益:

NAND flash的区块材质却是是NOR器件的一半，由于装配步骤格外为极为简单，NAND内部结构可以在取值的模具材质内给予格外好的量，也就也就是说地降很低了单价。

NOR flash占据了量为1～16MBSSD很低价的大多，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中都，这也陈述NOR主要应用在编码文件系统等离子体中都，NAND适合于数据数据资料文件系统，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC文件系统卡很低价上所占世界市场第二大。

4、可靠度和共通性:

引入flahs等离子体时一个需重点考虑的问题是可靠度。对于需扩展MTBF的系统才会来说，Flash是极为合适的文件系统计划。可以从生命周期(共通性)、位对等和坏块处理过程三个方面来常为比较NOR和NAND的可靠度。

A) 生命周期(共通性)

在NANDSSD中都每个块的第二大擦写到数目是一百万次，而NOR的擦写到数目是十万次。NAND文件系统除了具10比1的块复制周期压倒性，典型的NAND块材质要比NOR器件小8倍，每个NAND文件系统块在取值的整整内的删除数目要少一些。

B) 位对等

所有flash器件都受位对等现熊的毛病。在某些意味着(很少闻，NAND引发的数目要比NOR多)，一个比特(bit)位才会引发正向或被报告正向了。

一位的变化有可能不很明显，但是如果引发在一个关键文件上，这个小小的故障有可能致使才会停机。如果只是报告有问题，多念书几次就有可能解决了。

当然，如果这个位真的改变了，就必需引入严重错误探测/严重错误格外正(EDC/ECC)方法。位正向的问题格外多闻于NANDSSD，NAND的用很低压电商建议适用NANDSSD的时候，同时适用EDC/ECC方法。

这个问题对于用NAND文件系统多媒体的资讯时倒不是关键时刻的。当然，如果用本地文件系统设备来文件系统可用系统才会、配置文件或其他敏感的资讯时，必需适用EDC/ECC系统才会以前提可靠度。

C) 坏块处理过程

NAND器件中都的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但断定成品率大幅提很低，代价太很低，显然不划算。

NAND器件需对等离子体顺利进行模板扫描以断定坏块，并将坏块上标为不可用。在已制品的器件中都，如果通过可靠的方法不能顺利进行这项处理过程，将导致很低故障率。

5、易于适用:

可以极为如此一来地适用基于NOR的SSD，可以像其他文件系统那样联接，并可以在上面如此一来运营编码。

由于需I/O联接器，NAND要常为比较简单得多。各种NAND器件的传输方法因的产品而异。

在适用NAND器件时，必需日后加载涡轮程序，才能继续按计划其他可用。向NAND器件加载的资讯需比较的技巧，因为设计者绝不能向坏块加载，这就意味着在NAND器件上自始至终都必需顺利进行虚拟映射。

6、的软件支持:

当讨论的软件支持的时候，一定会区别大体上的念书/写到/擦可用和很低一级的用以文件系统建模和SSD经营管理方法的的软件,包括常为比较稳定性优化。

在NOR器件上运营编码不需任何的的软件支持，在NAND器件上顺利进行同样可用时，不一定需涡轮程序，也就是线程新科技涡轮程序(MTD)，NAND和NOR器件在顺利进行加载和复制可用时都需MTD。

适用NOR器件最先需的MTD要常为常为比较少一些，许多供应商都给予用以NOR器件的格外好阶的软件，这其中都包括M-System的TrueFFS涡轮，该涡轮被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等供应商所引入。

涡轮还用以对DiskOnChip产品顺利进行建模和NANDSSD的经营管理，包括纠错、坏块处理过程和损耗平衡状态。

NOR FLASH的主要用很低压电商是INTEL ,MICRO等供应商，曾因是FLASH的主流产品，但现在被NAND FLASH挤的常为比较心痛。它的不尽常为同之处是可以如此一来从FLASH中都运营程序，但是工艺常为比较简单，单价常为比较盛。

NAND FLASH的主要用很低压电商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种文件系统卡、MP3MP全都的都是这种FLASH，由于工艺上的不尽常为同，它比NOR FLASH拥有格外大文件系统量，而且较盛。但也有缺点，就是无法文件系统如此一来运营程序，根本无法文件系统数据数据资料。另外NAND FLASH 极为容易出现坏区，所以需有校验的方法。

在PDA从前要适用NAND FLASH 文件系统数据数据资料和程序，但是必需有NOR FLASH来重新启动。除了SAMSUNG处理过程器，其他用在PDA的主流处理过程器还不支持如此一来由NAND FLASH 重新启动程序。因此，必需日后用一片小的NOR FLASH 重新启动微电脑，在把OS等的软件从NAND FLASH 加载SDRAM中都运营才行，挺更糟的。

DRAM 并用MOS管的河桥很低压电路上的很低压作用力来文件系统的资讯，一旦掉很低压电的资讯才会全部的取走，由于接地才会漏很低压电，所以每隔一定的整整就需一个打破私人机构给这些河桥很低压电路说明很低压作用力，并且每念书出一数目据数据资料之前也需说明很低压作用力，这个就叫快照打破，所以称其为快照随机文件系统。由于它只适用一个MOS管来存的资讯，所以集成度可以较很低，量根本无法好好的不小。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

SRAM 并用寄存器来文件系统的资讯，所以一旦掉很低压电，数据资料就才会全部取走，只要供很低压电，它的数据资料就才会一直存在，不需快照打破，所以叫线性随机文件系统。

以上主要用以系统才会内文件系统，量大，不需断很低压电后仍完好数据数据资料的。

flash rom 是并用浮置河桥上的很低压电路文件系统很低压作用力来完好的资讯，因为浮置河桥不才会漏很低压电，所以断很低压电后的资讯仍然可以完好。也由于其私人机构极为简单所以集成度可以好好的较很低，量可以不小。Flash rom加载前需用很低压电顺利进行复制，而且复制不尽常为同与EEPROM可以以byte(bit)为一个单位顺利进行，flash rom根本无法以sector(扇区)为一个单位顺利进行。不过其加载时可以byte为一个单位。flash rom主要用以bios，U盘，Mp3等需SRAM且断很低压电不丢数据数据资料的设备。

PSRAM，真线性随机文件系统。

背景：

PSRAM具一个单器件的DRAM储藏格，与传统具六个器件的SRAM储藏格或是四个器件与two-load resistor SRAM 储藏格大不常为同，但它具十分类似SRAM的常为比较稳定联接器，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM卓越的长处，例如体积格外为轻巧，单价比突显竞争力。迄今为止在主体SRAM很低价中都，有90%的制造商都在装配PSRAM组件。在现在两年，很低价上极其重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

基础理论：

PSRAM就是伪SRAM，内部的线程颗粒跟SDRAM的颗粒类似，但内部的联接器跟SRAM类似，不需SDRAM那样常为比较简单的缓冲器和打破程序，PSRAM的联接器跟SRAM的联接器是一样的。

PSRAM量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，量并未SDRAM那样密度很低，但赞许是比SRAM的量要很低很多的，很低速支持突发模式，并不是很低速慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等的产品都有用很低压电，单价只比常为同量的SDRAM稍盛一点点，比SRAM较盛很多。

PSRAM主要应用以手机，很低压静电词典，PDA，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费很低压静电产品与SRAM(引入6T的新科技)常为常为比较来说,PSRAM引入的是1T+1C的新科技,所以在体积上格外小,同时,PSRAM的I/O联接器与SRAM常为同.在量上,迄今为止有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。常为比较于SDRAM,PSRAM的功耗要很低很多。所以对于立即有一定缓存量的很多便携式产品是一个理想的选择。