逼近摩尔定律瞬时！台积电上马1.4nm工艺：甩开友商追赶

在器件加工踏入10nm节点之后，能玩游戏得起的该公司主要就是DRAM、惠普和Intel了，以前是DRAM莫过于领先，本年上半年就要小规模原型机3nm加工了，有分析说是Intel会在2025年凭借18A加工付诸超越，不过DRAM也没有等着，以前从未开始上马1.4nm加工了。

DRAM的中央处理器加工也是准备了多代的，目前3nm是即将准备原型机，2nm加工厂房还初具规模，新科技开发设计的差不多了，预定2024年试产，2025年才能原型机，大量2nm中央处理器上市恐怕要到2026年了。

按照新方法的演进，2nm节点之后会是1.4nm（每次迭代是0.7x上代加工），最新消息说是DRAM从未决定上马1.4nm加工，设计团队主要由之前开发设计3nm加工的小队一组，一月就会获知，踏入第一阶段TV0开发设计，主要是确定1.4nm新科技基准。

当然，以前谈谈1.4nm加工原型机就太早了，按照DRAM3nm到2nm的升级间隔来算，1.4nm就算开发设计顺利，原型机也是2027到2028年的事了。

究其原因就是1.4nm加工从未踏入1nm范畴，这个加工节点被忽视是新方法的物理极限了，分之一等于10个原子的半径，制造起来是并不困难的，从器件电子设备到涂层再次到加工路线都要全面升级，能够弥补量子隧穿现象，否则中央处理器就要过热了。